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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1983     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析 期刊论文 半导体技术, 1983, 期号: 3, 页码: 54-58 作者:  李思渊;  殷之平;  李寿嵩;  张同军;  江湧 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 界面态:6435  界面固定电荷:4511  氢退火:3670  掺金:3515  电子能谱分析:2831  平带:1235  悬键:978  样片:906  界面态密度:732  界面电荷:730   又一种具有特殊界面效应的稀有金属杂质铑 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1983, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 606-608 作者:  李思渊;  张同军;  李寿嵩 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 界面效应:7910  金属杂质:5203  控制片:1701  C-V曲线:1422  电荷密度:1174  界面态密度:1123  组分剖析:969  价电子态密度:821  退火温度:769  缺陷中心:764