固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析

	固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析
	李思渊; 殷之平; 李寿嵩; 张同军; 江湧; 蒋致诚; 陈正石; 齐尚奎
刊名	半导体技术
	1983-06-30
期号	3 页码:54-58
关键词	界面态:6435 界面固定电荷:4511 氢退火:3670 掺金:3515 电子能谱分析:2831 平带:1235 悬键:978 样片:906 界面态密度:732 界面电荷:730
其他题名	固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si/SiO_2界面的电子能谱分析
中文摘要	文中描述了Si/SiO_2界面固定电荷对界面态的影响。考查了低温氢退火对Si/SiO_2界面特性的改善效果。同时还给出了界面电子能谱(AES和ESCA)时分析结果。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101522]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,殷之平,李寿嵩,等. 固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析[J]. 半导体技术,1983(3):54-58.
APA	李思渊.,殷之平.,李寿嵩.,张同军.,江湧.,...&齐尚奎.(1983).固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析.半导体技术(3),54-58.
MLA	李思渊,et al."固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析".半导体技术 .3(1983):54-58.