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科研机构
兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1983 [1]
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发表日期:1983
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固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si_SiO_2界面的电子能谱分析
期刊论文
半导体技术, 1983, 期号: 3, 页码: 54-58
作者:
李思渊
;
殷之平
;
李寿嵩
;
张同军
;
江湧
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提交时间:2015/04/27
界面态:6435
界面固定电荷:4511
氢退火:3670
掺金:3515
电子能谱分析:2831
平带:1235
悬键:978
样片:906
界面态密度:732
界面电荷:730
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