|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种TSV填孔方法 专利
申请日期: 2013-12-31,
作者: 于中尧
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/05/24 |
| 用于制造至少一个光电子半导体器件的方法 专利
专利号: CN103477451A, 申请日期: 2013-12-25, 公开日期: 2013-12-25
作者: B·哈恩; A·勒伯
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 专利
专利号: CN103401140A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
作者: 崔碧峰; 张松; 计伟; 陈京湘; 王晓玲
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利号: CN103390858A, 申请日期: 2013-11-13, 公开日期: 2013-11-13
作者: 张星; 宁永强; 秦莉; 刘云; 王立军
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Ⅲ族氮化物MISHEMT器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102403349A, 申请日期: 2013-09-25, 公开日期: 2014-01-20
作者: 蔡勇 ; 张宝顺
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2014/01/20 |
| 边耦合半导体激光器的制造方法 专利
专利号: CN103311804A, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者: 李静思; 李思敏
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半导体发光元件及发光装置 专利
专利号: CN103314488A, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者: 萩野裕幸; 左文字克哉
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利
专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23
作者: 罗家俊; 韩郑生; 刘刚; 赵发展; 刘梦新
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/09/29 |
| 硅激光器-量子阱混合晶片结合的集成平台 专利
专利号: CN103259185A, 申请日期: 2013-08-21, 公开日期: 2013-08-21
作者: 马修·N·西萨克; 约翰·E·鲍尔斯; 亚历山大·W·方; 玄戴·帕克
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102280583A, 申请日期: 2013-08-07, 公开日期: 2014-01-20
作者: 苏文明; 崔铮; 张东煜
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2014/01/20 |
