QQ客服 官方微博 反馈留言

	一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
	崔碧峰; 张松; 计伟; 陈京湘; 王晓玲; 苏道军
	2013-11-20
著作权人	北京工业大学
专利号	CN103401140A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
英文摘要	本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
公开日期	2013-11-20
申请日期	2013-07-18
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91741]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔碧峰,张松,计伟,等. 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器. CN103401140A. 2013-11-20.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。