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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  INTERFACE ROUGHNESS  QUANTUM-WELLS  MOBILITY  HETEROJUNCTION  TRANSPORT  MODEL   Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703 作者:  Zhang Y;  Li YB 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING  LOW-POWER APPLICATIONS  TRANSPORT-PROPERTIES  INTERFACE ROUGHNESS  INAS/ALSB HEMTS  HETEROSTRUCTURES  INAS  TRANSISTORS  GAS  LAYERS   Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted4H-SiC 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 72002 Wu, Hailei; Sun, Guosheng; Yang, Ting; Yan, Guoguo; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Zeng, Yiping; Wen, Jialiang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Aluminum  Annealing  Ion implantation  Pressure effects  Semiconducting silicon compounds  Silicon carbide  Surface roughness   High-quality homoepitaxial layers grown on4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 43005 Wu, Hailei; Sun, Guosheng; Yang, Ting; Yan, Guoguo; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Zeng, Yiping; Wen, Jialiang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/06/14 Epitaxial growth  Ethylene  Growth rate  Morphology  Surface roughness