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| 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916726A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦
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| 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101882617A, 申请日期: 2010-11-10, 公开日期: 2010-11-10
张挺; 宋志棠; 刘波; 封松林
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2010-09-30,
作者: 朱慧珑
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| 半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2010-09-29,
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯; 梁擎擎
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| 半导体器件结构的制造方法及其结构 专利
申请日期: 2010-08-19,
作者: 钟汇才; 梁擎擎
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| 电熔丝结构及其形成方法 专利
申请日期: 2010-08-05,
作者: 闫江
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