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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氨热法生长氮化镓晶体中传热传质的研究 期刊论文 工程热物理学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 1552-1554 作者:  姜燕妮;  陈启生;  李炜;  颜君毅 收藏  |  浏览/下载：1119/200  |  提交时间：2010/05/03 氨热法  氮化镓  温度场和流场   HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26 于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2012/01/06 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN外延层和纳米线的制备及表征 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 林朝通 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  纳米线  场发射  纳米掩膜  原位腐蚀   利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101350298, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06