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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1828837, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2006-09-06 雷本亮; 于广辉; 王笑龙; 齐鸣; 孟胜; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/01/06 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1744287, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2006-03-08 雷本亮; 于广辉; 齐鸣; 叶好华; 孟胜; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1737195, 申请日期: 2006-02-22, 公开日期: 2006-02-22 雷本亮; 于广辉; 齐鸣; 叶好华; 孟胜; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 纳米孔氮化镓材料的制备和研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04 王笑龙; 于广辉; 雷本亮; 隋妍萍; 孟胜; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 共面波导  传输线  绝缘体上硅  地屏蔽   纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究 学位论文 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 王笑龙   收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/06 GaN  ICP  纳米  损伤  回复