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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-speed TO-can optoelectronic packages 专利 专利号: US20050201433A1, 申请日期: 2005-09-15, 公开日期: 2005-09-15 作者:  RIAZIAT, MAJID LEONARD;  TZUANG, CHING-KUNG;  PAO, YI-CHING 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 High-speed TO-can optoelectronic packages 专利 专利号: US20050201433A1, 申请日期: 2005-09-15, 公开日期: 2005-09-15 作者:  RIAZIAT, MAJID LEONARD;  TZUANG, CHING-KUNG;  PAO, YI-CHING 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 Bloch mode reflection and lasing threshold in semiconductor nanowire laser arrays 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 71, 期号: 4 Li, ZY; Ho, KM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 SUBWAVELENGTH-DIAMETER SILICA  WAVE-GUIDES  WIRES   The cationization mechanism study of novel oligo (p-phenyleneethynylene)s 期刊论文 journal of the american society for mass spectrometry, 2005 Chen, H; He, MY; Chen, ZK; Zhou, CZ 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 ASSISTED-LASER-DESORPTION/IONIZATION  FLIGHT MASS-SPECTROMETRY  END-GROUP-ANALYSIS  DESORPTION IONIZATION  SYNTHETIC-POLYMERS  ORGANIC MATERIALS  GAS-PHASE  CONFORMATIONS  SPECTRA  IONS   Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：69/18  |  提交时间：2010/03/17 annealing   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)