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| n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性研究 会议论文 TFC'05全国薄膜技术学术研讨会 作者: 陈浩; 邓金祥; 刘钧锴; 田凌; 陈光华
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| 发光二极管装置的制造方法 专利 专利号: CN1217423C, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31 作者: 林明德
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| 抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1649108, 申请日期: 2005-08-03, 公开日期: 2005-08-03 李爱珍; 张雄; 齐鸣
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| 脊形波导式半导体光器件及其制作方法 专利 专利号: CN1624994A, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2005-06-08 作者: 陈农
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| 一种化学机械抛光液 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2005-06-01 张劲松, 梁艳 and 张军旗
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2013/06/06 |
| 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利 专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18 作者: 菅原岳; 长谷川义晃; 石桥明彦; 横川俊哉
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| 陶瓷氧化膜制备用小型高压电源装置 专利 专利号: ZL200420031270.0, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2011-07-15 作者: 王燕华; 王佳
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| 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1588642, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02 刘卫丽; 宋志棠; 陈邦明; 封松林
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| 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1588619, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02 狄增峰; 安正华; 张苗; 林成鲁
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| 使用沟槽为晶片承载的半导体器件提供电流控制 专利 专利号: CN1568432A, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2005-01-19 作者: M·J·哈吉-谢克; J·R·比亚尔; R·M·豪金斯; J·K·冈特
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