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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microdefects and electrical uniformity of inp annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Defects  Etching  Semiconducting indium phosphide   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide   Microsegregation and improved methods of squeeze casting 2024 aluminium alloy 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2003, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 413-416 作者:  Zhong, Y;  Su, GY;  Yang, K 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 2024 Al alloy  squeeze casting  microsegregation  diffusion annealing   Microstructure evolution of the strip-like subgrains in deformed 15MnB steel 期刊论文 ACTA METALLURGICA SINICA, 2003, 卷号: 39, 期号: 8, 页码: 826-830 作者:  Tian, SG;  Yu, H;  Zhang, LT;  Hong, H;  Xu, YB 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 MnB steel  deformed alloy  subgrain  dislocation  recrystallization   Semiconductor laser with disordered and non-disordered quantum well regions 专利 专利号: US6594295, 申请日期: 2003-07-15, 公开日期: 2003-07-15 作者:  SARGENT, EDWARD H. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of gainas/ganas quantum wells 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Interdiffusion  Post-annealing  Quantum wells  Gainnas/gaas   Influence of semi-insulating inp substrates on inalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Interfaces  Substrates  Molecular beam epitaxy  Phosphides  Semiconducting indium phosphide   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide   Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/02/02