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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高岭石热转变产物^29Si、^27Al魔角旋转核磁共振研究 期刊论文 矿物学报, 2001, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 448-452 姚林波; 高振敏; 胡澄 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2009/11/18 高岭石  热转变  核磁共振  红外光谱  X射线衍射  苏州   南蛇藤种油中的倍半萜成分 期刊论文 天然产物研究与开发, 2001, 期号: 2, 页码: 5-7 王明安,陈馥衡,王明奎,丁立生 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2011/07/08 卫矛科  南蛇藤  β-二氢沉香呋喃倍半萜  结构分析  X射线衍射   三环己基锡-2-(1,2-亚乙二硫)亚甲基-3-羰基-5-芳基-4-戊烯酸酯的结构研究 期刊论文 高等学校化学学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 1667-1671 李建新; 肖幼萍; 刘群; 赵保中; 刘景福; 邢燕; 贾恒庆; 林永华 收藏  |  浏览/下载：197/30  |  提交时间：2010/11/04 三环己基锡-2-(1  2-亚乙二硫)亚甲基-3-羰基-5-芳基-4-戊烯酸酯  合成  X射线衍射  结构   MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：112/13  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting manganese silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  THIN-FILMS   X-ray evidence for Ge/Si(001) island columns in multilayer structure 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 99-103 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：114/26  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  island columns  vapor phase epitaxy  Ge islands  nanomaterials  GROWTH  GE  SUPERLATTICES  ORGANIZATION  LAYERS  DOTS   Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：85/11  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  LOW-TEMPERATURE GROWTH  FILMS   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE