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期刊论文 [6]
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发表日期
2000 [7]
学科主题
半导体材料 [2]
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Surface characterization of transparent conductive oxide Al-doped ZnO films
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 254-262
M. Chen
;
Z. L. Pei
;
C. Sun
;
L. S. Wen
;
X. Wang
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/04/14
Al-doped ZnO (ZAO)
spatial distribution
XPS
Al-enrichment
thin-films
optical-properties
electrical-properties
rf
dc
deposition
Pulsed laser deposition of WO3-base film for NO2 gas sensor application
期刊论文
Sensors and Actuators B-Chemical, 2000, 卷号: 66, 期号: 1-3, 页码: 171-173
Y. Zhao
;
Z. C. Feng
;
Y. Liang
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/04/14
pulsed laser deposition
WO3
NO2
gas sensor
tungsten
X-ray photoelectron spectroscopy and auger electron spectroscopy studies of Al-doped ZnO films
期刊论文
Applied Surface Science, 2000, 卷号: 158, 期号: 1-2, 页码: 134-140
M. Chen
;
X. Wang
;
Y. H. Yu
;
Z. L. Pei
;
X. D. Bai
;
C. Sun
;
R. F. Huang
;
L. S. Wen
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/04/14
Al-doped ZnO (ZAO)
XPS
Al
oxygen
transition zone
oxide thin-films
transparent
growth
rf
Surface characterization of transparent conductive oxide Al-doped ZnO films
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 254-262
Chen, M
;
Pei, ZL
;
Sun, C
;
Wen, LS
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
OPTICAL-PROPERTIES
ELECTRICAL-PROPERTIES
RF
DC
DEPOSITION
Green electroluminescence generated from the thin film based on a soluble lanthanide complex
期刊论文
synthetic metals, 2000, 卷号: 114, 期号: 3, 页码: 373-375
Lin Q
;
Shi CY
;
Liang YJ
;
Zheng YX
;
Wang SB
;
Zhang HJ
收藏
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浏览/下载:241/58
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提交时间:2010/11/04
POLYMERS
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
annealing treatment
In-doping
MOVPE
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
GaN
annealing treatment
In-doping
MOVPE
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
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