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科研机构
半导体研究所 [4]
厦门大学 [1]
物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
1999 [6]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [1]
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发表日期:1999
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Synthesis and micro-structural study of one-dimensional nano-materials
期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY, 1999, 卷号: 42, 期号: 4, 页码: 429
Zhou, GW
;
Zhang, Z
;
Yu, DP
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/24
BORON-NITRIDE NANOTUBES
EXCIMER-LASER ABLATION
HIGH-TEMPERATURE
GROWTH
Hole transfer equilibrium in rigidly linked bichromophoric molecules
期刊论文
1999
陈亮
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2013/12/12
ELECTRON-TRANSFER
INTRAMOLECULAR HOLE
CATION RADICALS
ENERGY-TRANSFER
TRIPLET
DEVICES
WIRES
DIPHENYLHEXATRIENE
ENHANCEMENT
ABSORPTION
Self-organization of wire-like InAs nanostructures on InP
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 613-617
Li HX
;
Zhuang QD
;
Kong XW
;
Wang ZG
;
Daniels-Race T
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wires
InAs/InP
molecular beam epitaxy
self-organization
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates
期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5
Niu ZC
;
Notzel R
;
Jahn U
;
Schonherr HP
;
Fricke J
;
Ploog KH
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
high-index substrates
molecular beam epitaxy (MBE)
patterned growth
three-dimensionally confined nanostructures
SIDEWALL QUANTUM WIRES
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
High-density InAs nanowires realized in situ on (100) InP
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 8, 页码: 1173-1175
Li HX
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Daniels-Race T
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM WIRES
ISLANDS
GAAS
INP(001)
MORPHOLOGY
ARRAYS
Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on high-index InP substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 321-325
Li HX
;
Daniels-Race T
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
INP(001)
SURFACE
ISLANDS
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