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内容类型
期刊论文 [21]
专利 [13]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
1998 [36]
学科主题
半导体物理 [4]
半导体材料 [1]
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发表日期:1998
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Linear aluminum- and phosphorus-doped carbon cluster anions: Mass distribution and ab initio calculations
期刊论文
1998
Liu, ZY
;
Huang, RB
;
黄荣彬
;
Tang, ZC
;
Zheng, LS
;
郑兰荪
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/07/29
doped carbon clusters
aluminum
phosphorus
ab initio calculation
Comparative studies of manganese-doped copper-based catalysts: the promoter effect of Mn on methanol synthesis
期刊论文
1998
Chen, HY
;
Lin, J
;
Tan, KL
;
Li, J
;
李军
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2012/07/28
methanol synthesis
Cu/ZnO/Al2O3
Mn promoter
supported-Cu-catalyst
TPR
XPS
Photoconductivity of [60]fullerene derivatives
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 1998, 卷号: 43, 期号: 24, 页码: 2071-2074
作者:
Li, FY
;
Xu, JH
;
Li, YL
;
Fan, LZ
;
Ren, DY
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/04/09
C-60 Derivatives
Pvk
Reductibility
Photoconductivity
铜价态对Zns掺铜电子结构的影响
期刊论文
1998
张志鹏
;
沈耀文
;
黄美纯
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2011/06/20
发光中心
电子结构
ZnS掺铜
luminescence center
electronic structure
ZnS doped with copper
半導体レーザ装置
专利
专利号: JP2841599B2, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-12-24
作者:
堀田 等
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/13
Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor
专利
专利号: US5821569, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13
作者:
DUTTA, ACHYUT KUMAR
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/24
Hole trap levels in mg-doped gan grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026
作者:
Nagai, H
;
Zhu, QS
;
Kawaguchi, Y
;
Hiramatsu, K
;
Sawaki, N
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
発光素子およびその製造方法
专利
专利号: JP2834757B2, 申请日期: 1998-10-02, 公开日期: 1998-12-14
作者:
明利 敏巳
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
High-power vertical cavity surface emitting laser cluster
专利
专利号: US5812571, 申请日期: 1998-09-22, 公开日期: 1998-09-22
作者:
PETERS, FRANK H.
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ
专利
专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
作者:
池田 昌夫
;
森田 悦男
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提交时间:2020/01/18
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