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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1997     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of diffusion across the interface between metal films and AlN or Al2O3 substrates 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 1997, 卷号: 33, 期号: 3-4, 页码: 175 He, HJ; Yang, SZ; Tao, K; Fan, YD 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/09/18 THIN-FILMS  MOLYBDENUM  CU   Influence of growth conditions on Al-Ga interdiffusion in low-temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 71, 期号: 12, 页码: 1676 Feng, W; Chen, F; Cheng, WQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 DIFFUSION  SUPERLATTICES  DEFECTS  HETEROSTRUCTURES  IMPLANTATION  MECHANISMS  KINETICS  LAYERS   Annealing of iterative stochastic schemes 其他 1997-01-01 Fang, HT; Gong, GL; Qian, MP 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/16 global minimum  iterative stochastic schemes  large deviation  potential function  simulated annealing  GLOBAL OPTIMIZATION  ALGORITHMS  SCHEDULES  DIFFUSION  BEHAVIOR  RD   An improved annealing method and its large-time behavior 其他 1997-01-01 Fang, HT; Qian, MP; Gong, GL 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 logarithmic Sobolev inequality  Markov process  simulated annealing  spectral gap  SOBOLEV INEQUALITIES  MARKOV-PROCESSES  2ND EIGENVALUE  CONVERGENCE  DIFFUSION  OPERATORS   The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 219-225 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  INTERDIFFUSION  ISLANDS  SCALE   Rapid thermal annealing of arsenic implanted Si1-xGex epilayers 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 122, 期号: 4, 页码: 639-642 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 DIFFUSION  SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 会议论文 10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 GROWTH  INTERDIFFUSION  ISLANDS  SCALE   Diffusion of ion implanted as in Si1-xGex epilayers 期刊论文 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 51-54 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   The enhancement of diffusion by strain of inas quantum dots in a gaas matrix 期刊论文 Physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 页码: 219-225 作者:  Wang, ZM;  Feng, SL;  Lu, ZD;  Zhao, Q;  Yang, XP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12