QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1996     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nd:YVO4 crystal growth by the floating zone method 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996, 卷号: 160, 期号: 1-2, 页码: 136 Zheng, H; Yang, HG; Zhang, YZ; Zhou, JF; Xia, HC; Wu, X; Jiang, YD 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 Interactions between the interface of titanium and fullerene 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 149 Wang, WH; Wang, WK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/18 FULLERIDES  FILMS  C-60  C60   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241 Ding, SA; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 MICROSTRUCTURE   Interdiffusion in compositionally modulated amorphous Nb/Si multilayers 期刊论文 Thin Solid Films, 1996, 卷号: 287, 期号: 1-2, 页码: 293-296 M. Zhang; W. Yu; W. H. Wang; W. K. Wang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/14 diffusion  multilayers  X-ray diffraction  amorphous materials  low-temperature  silicon  diffusion  films   The conductivity confined temperature dependence of water-free electrorheological fluids 期刊论文 JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, 1996, 卷号: 184, 期号: 2, 页码: 542 Hao, T; Yu, H; Xu, YZ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23 ELECTRICAL-PROPERTIES   Ion beam defect engineering in semiconductors and optoelectric materials 其他 1996-01-01 Wang, ZL; Zhao, QT; Wang, KM; Shi, BR 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 OPTICAL WAVE-GUIDE  IMPLANTED SILICON  HE+ IMPLANTATION  ANOMALOUS DIFFUSION  ANNEALING BEHAVIOR  INDEX PROFILES  FLUORINE  ENERGY  REDUCTION  KNBO3   Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation 期刊论文 solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042 Sai N; Zheng BZ; Xu JZ; Zhang PH; Yang XP; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  intermixing  photoluminescence  INTERDIFFUSION  WIRES   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE   Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514 Fan TW; Zou LF; Wang ZG; Hemment PLF; Greaves SJ; Watts JF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 ELECTRICAL-PROPERTIES  SI0.5GE0.5 ALLOY  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  SB  SUPERLATTICES  DIFFUSION  REGROWTH  SILICON  SI