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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1991     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利 专利号: JP1991292788A, 申请日期: 1991-12-24, 公开日期: 1991-12-24 作者:  FUKAYA KAZUO 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 Photosensor 专利 专利号: JP1991276008A, 申请日期: 1991-12-06, 公开日期: 1991-12-06 作者:  KATAGIRI YOSHIMASA;  SUZUKI YOSHIO;  UKITA HIROO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1991256387A, 申请日期: 1991-11-15, 公开日期: 1991-11-15 作者:  KAWADA SEIJI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser element and manufacture thereof 专利 专利号: JP1991222488A, 申请日期: 1991-10-01, 公开日期: 1991-10-01 作者:  IJICHI TETSURO;  OKAMOTO HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利 专利号: JP1991145787A, 申请日期: 1991-06-20, 公开日期: 1991-06-20 作者:  IJICHI TETSURO;  OKAMOTO HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 High power (1,4 W)AlGaInP graded-index separate confinement heterostructure visible ( lambda -658 nm) laser 专利 专利号: US5003548, 申请日期: 1991-03-26, 公开日期: 1991-03-26 作者:  BOUR, DAVID P.;  SHEALY, JAMES R. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Superhigh speed semiconductor laser 专利 专利号: JP1991042890A, 申请日期: 1991-02-25, 公开日期: 1991-02-25 作者:  MATSUEDA HIDEAKI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser and its manufacturing method 专利 专利号: JP1991029385A, 申请日期: 1991-02-07, 公开日期: 1991-02-07 作者:  KAWADA SEIJI 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 EFFECT OF NEUTRON-IRRADIATION ON TRANSPORT IN HETEROSTRUCTURES 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1991, 卷号: 111, 期号: 1-4, 页码: 288 ZHOU, JM; JIN, WM; MAO, JM; HUANG, Y 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17 MODULATION-DOPED HETEROJUNCTIONS  QUANTUM TRANSPORT  GAAS   DOUBLE CIRCULAR STATES OF BARIUM 期刊论文 PHYSICAL REVIEW A, 1991, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 4260 JONES, RR; FU, PM; GALLAGHER, TF 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17 AUTOIONIZING SERIES  RYDBERG STATES