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内容类型
期刊论文 [6]
学位论文 [4]
专利 [2]
发表日期
1988 [12]
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共12条,第1-10条
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发表日期:1988
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具有高复现性的高温热敏电阻器
专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL85102991.0, 申请日期: 1988-12-21, 公开日期: 2013-11-27
程家骐,李凤翔,贾真,高世慧
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提交时间:2013/11/27
高阻低漏电流运算放大器组件
专利
专利号: CN87102520A, 申请日期: 1988-10-12, 公开日期: 1988-10-12
作者:
王仁道
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2018/12/27
半导体器件的辐射效应
期刊论文
核物理动态, 1988, 期号: 3, 页码: 26-30
作者:
洪忠悌
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提交时间:2016/07/18
电离辐射效应:5115
半导体器件:4521
电阻率:3255
电子器件:3174
损伤机制:3125
重大意义:2246
抗辐射能力:2201
中子发生器:2182
发展概况:2126
空间辐射环境:1941
Sr_xLa_(1-x)CuO_3系统半导体-金属相变的正电子湮没研究
期刊论文
科学通报, 1988, 期号: 18, 页码: 1384-1385
周先意,张其瑞,管惟炎,龙期威,蒋惠林,宋建先,陈祖耀,钱逸泰
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2012/04/12
高温超导体
半导体-金属相交
正电子湮没
γ-Fe-Mn-Ge系合金的反铁磁-转变及其物理性能反常研究
学位论文
硕士, 中国科学院金属研究所: 中国科学院金属研究所, 1988
曾鸿斌
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/04/10
金属银(Ag)超微粒子一氧化钡(BaO)牛导体薄膜的导电特性
期刊论文
真空科学与技术, 1988
张旭
;
周晓炜
;
薛增泉
;
吴全德
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提交时间:2015/10/23
超微粒子
薄膜结构
导电特性
温度系数
激活能
固溶胶
金属银
杂质能级
Ag
BaO
反应生成的TiSi_2薄膜特性及TiSi_2/poly Si栅结构特性、TiSi_2/n~+-Si接触特性和形貌的研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1988
陶江
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提交时间:2015/10/23
TiSi_2
接触特性
薄膜特性
微米技术
硅栅
硅化物
器件尺寸
接触电阻
延迟时间
退火温度
用于液晶显示驱动电路的非晶硅薄膜晶体管
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 1988
关旭东
;
陈洪
;
韩汝琦
;
张书绅
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提交时间:2015/11/13
断态电流
开启电压
液晶显示
驱动电路
非晶硅
表面积累层
漏电阻
栅压
显示板
通态
用俄歇电子能谱分析Y-Ba-Cu-O超导薄膜与衬底的界面互作用
期刊论文
物理化学学报, 1988, 期号: 06
郑彦
;
章纯思
;
任琮欣
;
陈建民
;
陈国梁
;
杨洁
;
金丽娜
;
柳襄怀
;
谢雷鸣
;
邹世昌
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提交时间:2012/03/29
锂蓄电池锂合金负极的研究
学位论文
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 1988
霍国燕
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提交时间:2011/01/17
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