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科研机构
北京航空航天大学 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2019 [1]
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Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI
会议论文
GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI, 2019-01-01
作者:
Cai, Hao
;
Han, Menglin
;
Shan, Weiwei
;
Yang, Jun
;
Wang, You
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提交时间:2019/12/30
VCMA-MTJ
design boundary
voltage assisted techniques
ultra-low power
FD-SOI
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