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	Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI
	Cai, Hao; Han, Menglin; Shan, Weiwei; Yang, Jun; Wang, You; Kang, Wang; Zhao, Weisheng
	2019
会议名称	GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI
会议日期	2019-01-01
关键词	VCMA-MTJ design boundary voltage assisted techniques ultra-low power FD-SOI
页码	135-140
收录类别	CPCI-S
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000474339800026
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5918353
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Cai, Hao,Han, Menglin,Shan, Weiwei,et al. Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI[C]. 见:GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI. 2019-01-01.

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