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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2004 [4]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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Effect of the ratio of tmin flow to group iii flow on the properties of ingan/gan multiple quantum wells
期刊论文
Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
作者:
Zhang, JC
;
Wang, JF
;
Wang, YT
;
Hui, Y
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提交时间:2019/05/12
Triple-axis x-ray diffraction
Interface roughness
Dislocation density
Ingan/gan multiple quantum wells
Structural and optical properties of quaternary alingan epilayers grown by mocvd with various tmga flows
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393
作者:
Liu, JP
;
Zhang, BS
;
Wu, M
;
Li, DB
;
Zhang, JC
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Triple-axis x-ray diffraction
Atomic force microscopy
Metalorganic chemical vapor deposition
Alingan quaternary alloys
Effect of the ratio of TMIn flow to group III flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
Zhang, JC
;
Wang, JF
;
Wang, YT
;
Hui, Y
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提交时间:2010/03/09
triple-axis x-ray diffraction
Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393
作者:
Li DB
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提交时间:2010/03/09
triple-axis X-ray diffraction
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