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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Multi-Channel Tri-Gate GaN Power Schottky Diodes With Low ON-Resistance 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: Vol.40 No.2, 页码: 275-278 作者:  Ma, Jun;  Kampitsis, Georgios;  Xiang, Peng;  Cheng, Kai;  Matioli, Elison 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 GaN  SBD  multi-channel  tri-gate  tri-anode  breakdown  leakage current   The impact of heat loss paths on the electrothermal models of self-heating effects in nanoscale tri-gate SOI MOSFETs 期刊论文 IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 卷号: 15 作者:  Su, Yali;  Lai, Junhua;  Liang, Feng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 tri-gate SOI MOSFETs  self-heating effects (SHEs)  gate dissipation channels   Investigation of strain effect on the hole mobility in GOI tri-gate pFETs including quantum confinement 期刊论文 chinese physics b, 2014 Qin Jie-Yu; Du Gang; Liu Xiao-Yan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 strain  quantum effect  tri-gate  GOI  BAND-STRUCTURE  SILICON  THICKNESS  NANOWIRES  LAYER   Tri-Gate MOSFET的建模与计算机模拟 学位论文 2006 作者:  刘建 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Tri-Gate MOSFET  阈值电压  器件建模  数值模拟  Corner效应