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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Atomistic simulation of defects evolution in silicon during annealing after low energy self-ion implantation 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2004 Yu, M; Huang, R; Zhang, X; Wang, YY; Suzuki, K; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/10 simulation  defects  silicon  annealing  TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  DOPANT DIFFUSION  DISSOLUTION  MODEL  SI   Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 6, 页码: 3217-3220 Chen, P; Zhu, M; Fu, RKY; Chu, PK; An, ZH; Liu, W; Montgomery, N; Biswas, S 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  ON-INSULATOR FILMS  SILICON  SIO2  PERFORMANCE  CHANNEL  PROFILE  DEFECTS  SIMOX   Implant damage and redistribution of indium in indium-implanted thin silicon-on-insulator 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 114, 页码: 251-254 Chen, P; An, ZH; Zhu, M; Fu, RKY; Chu, PK; Montgomery, N; Biswas, S 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  BURIED SIO2   Effects of ion irradiation on the diffusion of pre-implanted B atoms in crystalline silicon 期刊论文 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2001, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 1238-1244 作者:  Sealy, BJ;  Liu, CL;  Nejim, A;  Gwilliam, RM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 implantation  transient enhanced diffusion  secondary ion mass spectrometer  crystalline silicon   Atomistic annealing simulation: Kinetic lattice Monte Carlo 其他 2001-01-01 Yu, M; Huang, R; Zhang, X; Fujitani, H; Horsfield, AP 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  B-DIFFUSION  SI  IMPLANTATION  POINT