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EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF AXIAL HEAT TRANSFER AND ENTRANCE EFFECT IN RANDOMLY PACKED BEDS BY A NAPHTHALENE SUBLIMATION TECHNIQUE
期刊论文
HEAT TRANSFER RESEARCH, 2018, 卷号: 49, 页码: 235-253
作者:
Wang, Jingyu
;
Liu, Yan
;
Yang, Jian
;
Chen, Yitung
;
Wang, Qiuwang
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提交时间:2019/11/26
convective heat transfer
axial porosity distribution
randomly packed bed
entrance effect
discrete element method
naphthalene sublimation
Polytype Stabilization of High-purity Semi-insulating 4H-SiC Crystal via the PVT Method
期刊论文
2016, 卷号: 22, 页码: 197-200
作者:
Mao, Kai-li
;
Wang, Ying-min
;
Wei, Ru-sheng
;
Li, Bin
;
Xu, Wei
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
high-purity semi-insulating
4H-SiC
polytype stabilization
sublimation method
Evolution and structure of low-angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals grown by sublimation method
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 20, 页码: 2909-2913
作者:
Yuqiang Gao
;
Xiaobo Hu
;
Xiufang Chen
;
Xiangang Xu
;
Yan Peng
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
A1. Low-angle grain boundaries
A2. Sublimation method
A3. Radial temperature gradient
B1. SiC
Debye temperature of 4H-SiC determined by X-ray powder diffraction
期刊论文
POWDER DIFFRACTION, 2009, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 311
Peng, TH
;
Lou, YF
;
Jin, SF
;
Wang, WY
;
Wang, WJ
;
Wang, G
;
Chen, XL
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/17
SIC BULK CRYSTAL
SILICON-CARBIDE
SUBLIMATION GROWTH
PVT METHOD
GRAPHITIZATION
REFINEMENT
Characterization of foreign grain on 6H-SiC facet
期刊论文
Journal of Central South University of Technology, 2009, 期号: 03, 页码: 344-348
作者:
Wang YM(王英民)
;
Li J(李娟)
;
Ning LN(宁丽娜)
;
Gao YQ(高玉强)
;
Hu XB(胡小波)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
6H-SiC
surface morphology
foreign grain
sublimation method
Characterization of foreign grain on 6H-SiC facet
期刊论文
中南大学学报(英文版), 2009, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 344-348
作者:
Wang Ying-min
;
Li Juan
;
Ning Li-na
;
Gao Yu-qiang
;
Hu Xiao-bo
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/26
6H-SiC
surface morphology
foreign grain
sublimation method
Birefringence images of micropipes viewed end-on in 6H-SiC single crystals
期刊论文
Journal of Applied Crystallography, 2008, 期号: 5, 页码: 939-943
作者:
Ning L
;
Hu XB
;
Xu XG
;
Chen XF
;
Wang YM
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
SUBLIMATION METHOD
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON-CARBIDE
DEFECTS
GAN
New types of defects in SiC grown by the PVT method
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2005, 卷号: 17, 期号: 10, 页码: L85
Zhu, LN
;
Li, HQ
;
Hu, BQ
;
Wu, X
;
Chen, XL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/24
MODIFIED-LELY METHOD
SILICON-CARBIDE
SINGLE-CRYSTALS
SUBLIMATION GROWTH
BULK CRYSTALS
PHASE
VAPOR
SEMICONDUCTOR
MICROPIPES
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