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科研机构
北京航空航天大学 [6]
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期刊论文 [3]
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A Full-Sensing-Margin Dual-Reference Sensing Scheme for Deeply-Scaled STT-RAM
期刊论文
IEEE ACCESS, 2018, 卷号: 6, 页码: 64250-64260
作者:
Zhang, He
;
Kang, Wang
;
Zhang, Youguang
;
Chang, Meng-Fan
;
Zhao, Weisheng
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Read reliability
read disturbance
sensing circuit
sensing margin
STT-RAM
Read disturbance issue and design techniques for nanoscale STT-MRAM
期刊论文
JOURNAL OF SYSTEMS ARCHITECTURE, 2016, 卷号: 71, 页码: 2-11
作者:
Ran, Yi
;
Kang, Wang
;
Zhang, Youguang
;
Klein, Jacques-Olivier
;
Zhao, Weisheng
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Nonvolatile memory
Read disturbance
Reliability
STT-MRAM
Read Disturbance Issue for Nanoscale STT-MRAM
会议论文
2015 IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium (NVMSA), 2015-01-01
作者:
Ran, Yi
;
Kang, Wang
;
Zhang, Youguang
;
Klein, Jacques-Olivier
;
Zhao, Weisheng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/06
Nonvolatile memory
read disturbance
reliability
STT-MRAM
Read Disturbance Issue for Nanoscale STT-MRAM
会议论文
2015 IEEE NON-VOLATILE MEMORY SYSTEMS AND APPLICATIONS SYMPOSIUM (NVMSA), 2015-01-01
作者:
Ran, Yi
;
Kang, Wang
;
Zhang, Youguang
;
Klein, Jacques-Olivier
;
Zhao, Weisheng
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/06
Nonvolatile memory
read disturbance
reliability
STT-MRAM
Readability Challenges in Deeply Scaled STT-MRAM
会议论文
2014 14TH ANNUAL NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM (NVMTS), 2014-01-01
作者:
Kang, Wang
;
Cheng, Yuanqing
;
Zhang, Youguang
;
Ravelosona, Dafine
;
Zhao, Weisheng
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/06
STT-MRAM
readability
reconfigurable cell
read disturbance
sensing margin
Variation-Tolerant and Disturbance-Free Sensing Circuit for Deep Nanometer STT-MRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2014, 卷号: 13, 页码: 1088-1092
作者:
Kang, Wang
;
Li, Zheng
;
Klein, Jacques-Olivier
;
Chen, Yuanqing
;
Zhang, Youguang
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/06
(PVT) variations
read disturbance (RD)
sensing circuit
sensing margin (SM)
STT-MRAM
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