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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 A Full-Sensing-Margin Dual-Reference Sensing Scheme for Deeply-Scaled STT-RAM 期刊论文 IEEE ACCESS, 2018, 卷号: 6, 页码: 64250-64260 作者:  Zhang, He;  Kang, Wang;  Zhang, Youguang;  Chang, Meng-Fan;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 Read reliability  read disturbance  sensing circuit  sensing margin  STT-RAM   Read disturbance issue and design techniques for nanoscale STT-MRAM 期刊论文 JOURNAL OF SYSTEMS ARCHITECTURE, 2016, 卷号: 71, 页码: 2-11 作者:  Ran, Yi;  Kang, Wang;  Zhang, Youguang;  Klein, Jacques-Olivier;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/30 Nonvolatile memory  Read disturbance  Reliability  STT-MRAM   Read Disturbance Issue for Nanoscale STT-MRAM 会议论文 2015 IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium (NVMSA), 2015-01-01 作者:  Ran, Yi;  Kang, Wang;  Zhang, Youguang;  Klein, Jacques-Olivier;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/06 Nonvolatile memory  read disturbance  reliability  STT-MRAM   Read Disturbance Issue for Nanoscale STT-MRAM 会议论文 2015 IEEE NON-VOLATILE MEMORY SYSTEMS AND APPLICATIONS SYMPOSIUM (NVMSA), 2015-01-01 作者:  Ran, Yi;  Kang, Wang;  Zhang, Youguang;  Klein, Jacques-Olivier;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06 Nonvolatile memory  read disturbance  reliability  STT-MRAM   Readability Challenges in Deeply Scaled STT-MRAM 会议论文 2014 14TH ANNUAL NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM (NVMTS), 2014-01-01 作者:  Kang, Wang;  Cheng, Yuanqing;  Zhang, Youguang;  Ravelosona, Dafine;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/06 STT-MRAM  readability  reconfigurable cell  read disturbance  sensing margin   Variation-Tolerant and Disturbance-Free Sensing Circuit for Deep Nanometer STT-MRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2014, 卷号: 13, 页码: 1088-1092 作者:  Kang, Wang;  Li, Zheng;  Klein, Jacques-Olivier;  Chen, Yuanqing;  Zhang, Youguang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/06 (PVT) variations  read disturbance (RD)  sensing circuit  sensing margin (SM)  STT-MRAM