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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Mechanism Analysis of the Flashover Quenching the Photoconductive Semiconductor Switch in SF6 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, 2012, 卷号: 40, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 2221-2224 作者:  Shi, Wei;  Jiang, Zenggong 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/10 photon-activated charge domain (PACD)  Flashover  photoconductive semiconductor switch (PCSS)  secondary electron emission  semi-insulating GaAs   Mechanism Analysis of the Flashover Quenching the Photoconductive Semiconductor Switch in SF6 期刊论文 2012, 卷号: 40, 页码: 2221-2224 作者:  Shi, Wei;  Jiang, Zenggong 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20 Flashover  photoconductive semiconductor switch (PCSS)  photon-activated charge domain (PACD)  secondary electron emission  semi-insulating GaAs