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GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 469
作者:  Zhang, Guozhen;  Zheng, Meijuan;  Wan, Jiaxian;  Wu, Hao;  Liu, Chang
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/08/24
Self-powered GaN ultraviolet photodetectors with p-NiO electrode grown by thermal oxidation 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 卷号: 76, 页码: 61-64
作者:  Li, Liuan;  Liu, Zhangcheng;  Wang, Lei;  Zhang, Baijun;  Liu, Yang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
Synthesis and field emission performance for P-doped GaN NWs 期刊论文
2018, 卷号: 115, 页码: 53-58
作者:  Li, Enling;  Yan, Jie;  Ma, Deming;  Cui, Zhen;  Qi, Qingping
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17
P型GaN材料生长及性能表征 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
liushuangtao
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/06/02
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 会议论文
作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Wang, Hanxing;  Tian, Mofan
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/26
Fully- and Quasi-Vertical GaN-on-Si p-i-n Diodes: High Performance and Comprehensive Comparison 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 809-815
作者:  Zhang, Xu;  Zou, Xinbo;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah;  Lau, Kei May
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346
作者:  Zhou, Yu[1];  Zhong, Yaozong[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5]
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05

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