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湖南大学 [2]
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期刊论文 [2]
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2019 [2]
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Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Jun Wang
;
Xi Jiang
;
Zongjian Li
;
Z. John Shen
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/13
MOSFET
Silicon carbide
Logic gates
Insulated gate bipolar transistors
Switches
Leakage currents
Silicon
Failure analysis
gate control
hybrid switch (HyS)
IGBT
short-circuit (SC)
Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Wang, J
;
Jiang, X
;
Li, ZJ
;
Shen, ZJ
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Failure analysis
gate control
hybrid switch (HyS)
IGBT
short-circuit (SC)
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
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