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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7 作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Meng, Lingguo;  Luan, Chongbiao;  Cao, Zhifang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 electron mobility  drain-to-source distance  AlGaN/GaN heterostructures  polarization Coulomb field scattering