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科研机构
山东大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
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Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7
作者:
Lv, Yuanjie
;
Lin, Zhaojun
;
Meng, Lingguo
;
Luan, Chongbiao
;
Cao, Zhifang
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提交时间:2019/12/23
electron mobility
drain-to-source distance
AlGaN/GaN heterostructures
polarization Coulomb field scattering
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