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科研机构
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [1]
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A Physics-Based Compact Model of Metal-Oxide-Based RRAM DC and AC Operations
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Huang, Peng
;
Liu, Xiao Yan
;
Chen, Bing
;
Li, Hai Tong
;
Wang, Yi Jiao
;
Deng, Ye Xin
;
Wei, Kang Liang
;
Zeng, Lang
;
Gao, Bin
;
Du, Gang
;
Zhang, Xing
;
Kang, Jin Feng
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提交时间:2015/11/10
Circuit simulation
compact model
conduction of resistive-switching random access memory (RRAM)
conductive filament&apos
parasitic effect
pulse mode
resistive switching
RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES
DEVICE
s evolution
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