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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Simulation Study of an Insulated Gate Bipolar Transistor With Pinched-Off N-Type Pillar 期刊论文 IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2016, 卷号: Vol.4 No.3, 页码: 144-148 作者:  Jiang, MX;  Shen, ZJ;  Wang, J;  Shuai, ZK;  Yin, X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Insulated gate bipolar transistors  Reliability  Electric fields  Silicon  Breakdown voltage  Reliability  Avalanche Energy  Breakdown Voltage  Forward Voltage Drop  IGBT   Modeling, fabrication and measurement of a novel CMOS UV/blue-extended photodiode 期刊论文 JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY, 2014, 卷号: 21, 页码: 3821-3827 作者:  Chen Chang-ping[1];  Zhao Yong-jia[2];  Zhou Xiao-ya[3];  Jin Xiang-liang[4];  Yang Hong-jiao[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30 device simulation  numerical modeling  ultraviolet responsivity  photoelectric characteristics  avalanche breakdown voltage  silicon   Threshold voltage model for double gate p-IMOS 会议论文 2013 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE OF ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2013-01-01 作者:  Yao, Heming;  Foad, Saddam 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/06 DG p-IMOS  threshold voltage  avalanche breakdown   Numerical simulation of the closing process in a gas peaking switch 期刊论文 2010, 2010 Xinxin Wang; Xinhai Song; Guiping Li; Jiansheng Yuan 收藏  |  浏览/下载：3/0 GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析 期刊论文 2000 庄宝煌; 黄美纯; 朱梓忠; 李开航 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/06/17 功率器件  联栅晶体管  电流增益  雪崩击穿电压  兼容性  power device  GAT  current gain  avalanche breakdown voltage  compatibility