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| 功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展 期刊论文 2017, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 401-405 作者: 唐昭焕; 杨发顺; 马奎; 谭开洲; 傅兴华
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| 一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018 作者: 唐昭焕; 杨发顺; 马奎; 林洁馨; 傅兴华
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| 开关电源电路设计及其高压功率器件研制 学位论文 2014, 2014 江凌峰
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| 一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺 期刊论文 2013, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 93-96 作者: 马奎; 杨发顺; 林洁馨; 傅兴华
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| 功率VDMOS器件的研究与发展 期刊论文 2011, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 623-629 作者: 杨法明; 杨发顺; 张锗源; 李绪诚; 张荣芬
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| Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 4 Gao; Yu; Ren; Liu; Wang; Sun; Cui; Bo1; Xuefeng1; Diyuan1; Gang3; Yiyuan1; Jing1; Jiangwei1; 2; 2; 2; 2; 2; 2; 4; 4; 4
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| VHF波段80W宽带线性功率放大器 学位论文 硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 黄鹏
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| VHF波段80W宽带线性功率放大器 学位论文 硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 黄鹏
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| A New Isolation Technology for Automotive Power-Integrated-Circuit Applications 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2009 Sun, Jingmeng; Jiang, Frank X. C.; Guan, Lingpeng; Xiong, Zhibin; Yan, Guizhen; Sin, Johnny K. O.
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| 一种减少VDMOS寄生电容的新结构 期刊论文 微电子学, 2009, 卷号: 32, 期号: 20, 页码: 3,200-202 作者: 郭丽莎; 夏洋
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