| 功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展 | |
| 唐昭焕; 杨发顺; 马奎; 谭开洲; 傅兴华 | |
| 2017 | |
| 卷号 | 47期号:3页码:401-405 |
| 关键词 | 功率VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅穿 加固技术 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6481126 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 2.[2]模拟集成电路重点实验室,重庆400060 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐昭焕,杨发顺,马奎,等. 功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展[J],2017,47(3):401-405. |
| APA | 唐昭焕,杨发顺,马奎,谭开洲,&傅兴华.(2017).功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展.,47(3),401-405. |
| MLA | 唐昭焕,et al."功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展".47.3(2017):401-405. |
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