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Influence of field plate terminal on the electric field distribution and breakdown characteristics of diamond SBD 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 432-438
作者:  Wang, Jin-Jun;  Wang, Xiao-Liang;  Zhang, Jing-Wen;  Wang, Xia
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650 V/50 A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证 期刊论文
2016, 卷号: 50, 页码: 101-102,108
作者:  马骏;  王曦;  蒲红斌;  陈治明
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1200V4H-SiC JBS二极管的研制 期刊论文
2016, 卷号: 50, 页码: 100-102
作者:  马骏;  王曦;  蒲红斌;  封先锋
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Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文
NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338
作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung
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The impact of the surface treatments on the properties of GaN/3C-SiC/Si based Schottky Barrier Diodes 期刊论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, 2013, 卷号: 740-742, 页码: 1111-1114
作者:  Han, Jisheng;  Tanner, Philip;  Dimitrijiev, Sima;  Shuang, Qu;  Shen, Yan
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Transient voltage-current characteristics: New insights into plasma electrolytic oxidation process of aluminium alloy 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2012, 卷号: 7, 期号: 8, 页码: 7619-7630
作者:  Duan HP(段红平);  Li YC;  Xia Y(夏原);  Chen SH(陈少华);  Duan, HP
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Analysis and simulation of a 4H-SiC semi-superjunction Schottky barrier diode for softer reverse-recovery 期刊论文
2012, 卷号: 21
作者:  Cao, Lin;  Pu, Hong-Bin;  Chen, Zhi-Ming;  Zang, Yuan
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A passive NCITS 256 UHF RFID transponder 期刊论文
2010, 2010
Liu Zhongqi; Sun Xuguang; Bai Rongrong; Zhang Chun; Li Yongming; Wang Zhihua
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Study and optimal simulation of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diodes' structures and electric properties 期刊论文
2010, 卷号: 19
作者:  Nan, Ya-Gong;  Pu, Hong-Bin;  Cao, Lin;  Ren, Jie
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Modeling of 4H-SiC multi-floating-junction Schottky barrier diode 期刊论文
2010, 卷号: 19
作者:  Pu, Hong-Bin;  Cao, Lin;  Chen, Zhi-Ming;  Ren, Jie;  Nan, Ya-Gong
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20

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