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Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254
作者:  Yongwei Chang;  Jiexin Luo;  Jing Chen;  Lingda Xu;  Zhan Chai
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/13
Design of a novel double doping polysilicon gate MOSFET 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 卷号: Vol.31, 页码: 229-234
作者:  Xu,Hui-Fang;  Wang,Jia-Yu;  Xu,Jian-Bin;  Dai,Yue-Hua;  Zhao,Yuan-Yang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs 期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Wu, Weikang; Feng, Hui; Huang, Liangxi; Fan, Jiewen; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13
Analytic high frequency model of SOI-MOSFETs with active transmission line analysis 其他
2014-01-01
Jian Zhang; Jin He; Wei Zhao; Wenping Wang; Ting Zhang; Yun Ye; Caixia Du; Mansun Chan
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13
Unified Scale Length for Four-Terminal Double-Gate MOSFETs 期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2012
Zhou, Xingye; Liu, Feng; Zhang, Lining; Wang, Cheng; He, Jin; Zhang, Xing; Chan, Mansun
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10
A Junctionless Nanowire Transistor With a Dual-Material Gate 期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2012
Lou, Haijun; Zhang, Lining; Zhu, Yunxi; Lin, Xinnan; Yang, Shengqi; He, Jin; Chan, Mansun
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12
Gate Underlap Design for Short Channel Effects Control in Cylindrical Gate-all-around MOSFETs based on an Analytical Model 期刊论文
iete technical review, 2012
Zhang, Lining; Wang, Shaodi; Ma, Chenyue; He, Jin; Xu, Chunkai; Ma, Yutao; Ye, Yun; Liang, Hailang; Chen, Qin; Chan, Mansun
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13
Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67
Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Wang, X
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/17
正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型 期刊论文
世界科技研究与发展, 2012, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 29-34
作者:  张国和;  邵隽;  陈婷
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10

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