×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [39]
微电子研究所 [5]
上海微系统与信息技术... [5]
西安交通大学 [4]
清华大学 [3]
安徽大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [50]
其他 [4]
学位论文 [3]
会议论文 [1]
外文期刊 [1]
发表日期
2019 [1]
2015 [1]
2014 [3]
2012 [5]
2011 [2]
2010 [5]
更多...
学科主题
Engineerin... [1]
微电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共59条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254
作者:
Yongwei Chang
;
Jiexin Luo
;
Jing Chen
;
Lingda Xu
;
Zhan Chai
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/13
MOSFET
circuits
Integrated
circuit
modeling
Semiconductor
device
modeling
Radio
frequency
MOSFET
Analytical
models
Mathematical
model
Body
contact
compact
model
floating
body
effects
(FBEs)
impact
ionization
partially
depleted
silicon-on-insulator
(PD-SOI)
radio
frequency
(RF)
tunnel
diode
body
contact
(TDBC)
Design of a novel double doping polysilicon gate MOSFET
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 卷号: Vol.31, 页码: 229-234
作者:
Xu,Hui-Fang
;
Wang,Jia-Yu
;
Xu,Jian-Bin
;
Dai,Yue-Hua
;
Zhao,Yuan-Yang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/04/22
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
SOI MOSFET
SIMULATION
VOLTAGE
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
Tan, Fei
;
Huang, Ru
;
An, Xia
;
Wu, Weikang
;
Feng, Hui
;
Huang, Liangxi
;
Fan, Jiewen
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/13
quasi-SOI device
single event effect (SEE)
total ionizing dose (TID)
worst case
TECHNOLOGIES
TRANSISTOR
CANDIDATE
MOSFET
UPSET
Analytic high frequency model of SOI-MOSFETs with active transmission line analysis
其他
2014-01-01
Jian Zhang
;
Jin He
;
Wei Zhao
;
Wenping Wang
;
Ting Zhang
;
Yun Ye
;
Caixia Du
;
Mansun Chan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
high frequency
compact modeling
SOI-MOSFET
non-quasi-static
high frequency
compact modeling
SOI-MOSFET
non-quasi-static
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲
;
吕垠轩
;
何燕冬
;
张钢刚
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2015/11/13
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)
退化
应力诱导漏电流(SILC)
PBTI
high-κ gate dielectrics
SOI MOSFET
degradation
SILC
Unified Scale Length for Four-Terminal Double-Gate MOSFETs
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2012
Zhou, Xingye
;
Liu, Feng
;
Zhang, Lining
;
Wang, Cheng
;
He, Jin
;
Zhang, Xing
;
Chan, Mansun
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Device design
double-gate (DG) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
scale length
short-channel effects (SCEs)
SOI
A Junctionless Nanowire Transistor With a Dual-Material Gate
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2012
Lou, Haijun
;
Zhang, Lining
;
Zhu, Yunxi
;
Lin, Xinnan
;
Yang, Shengqi
;
He, Jin
;
Chan, Mansun
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/12
Dual-material gate (DMG)
junctionless
nanowire
numerical simulation
single-material gate (SMG)
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
WORK FUNCTION
METAL GATE
DEVICE ARCHITECTURE
CMOS TECHNOLOGY
SOI MOSFET
SURFACE
PERFORMANCE
ATTRIBUTES
CIRCUITS
Gate Underlap Design for Short Channel Effects Control in Cylindrical Gate-all-around MOSFETs based on an Analytical Model
期刊论文
iete technical review, 2012
Zhang, Lining
;
Wang, Shaodi
;
Ma, Chenyue
;
He, Jin
;
Xu, Chunkai
;
Ma, Yutao
;
Ye, Yun
;
Liang, Hailang
;
Chen, Qin
;
Chan, Mansun
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Conformal mapping
Gate-all-around MOSFET
Gate underlap
Short channel effects
TCAD simulations
SOI MOSFETS
FRINGING FIELDS
SCALING THEORY
DEVICES
Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67
Luo, JX
;
Chen, J
;
Zhou, JH
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/04/17
Hysteresis
MOSFET
partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)
SOI technology
temperature
正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型
期刊论文
世界科技研究与发展, 2012, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 29-34
作者:
张国和
;
邵隽
;
陈婷
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/10
背栅电压
阈值电压解析模型
全耗尽SOI-MOSFET
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace