QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes 期刊论文 2008, 卷号: 17, 页码: 4635-4639 作者:  Gao Yong;  Liu Jing;  Yang Yuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/25 SiGeC  softness factor  thermal-stability  lifetime control   Research on SiGeC power diodes with fast and soft recovery 会议论文 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, Beijing, PEOPLES R CHINA, 2008-01-01 作者:  Liu, Jing;  Gao, Yong;  Yang, Yuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/25 SiGeC  softness factor  critical thickness   大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管 期刊论文 2007, 卷号: 56, 页码: 7236-7241 作者:  马丽;  高勇;  刘静;  王彩琳 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25 快速软恢复  大功率低功耗  SiGeC/Si异质结功率二极管   一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC/Si功率二极管 期刊论文 2007, 卷号: 28, 页码: 342-348 作者:  刘静;  高勇;  杨媛;  王彩琳 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/25 SiGeC/Si异质结  功率二极管  反向阻断特性  欧姆接触   Research on a novel structure of SiGeC/Si heterojunction power diodes 会议论文 CES/IEEE 5th International Power Electronics and Motion Control Conference, Shanghai Jiao Tong Univ, Shanghai, PEOPLES R CHINA 作者:  Jing, Liu;  Yong, Gao;  Li, Ma 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/25 physical models  SiGeC alloys  power diodes  reverse leakage current   SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析 期刊论文 2006, 卷号: 27, 页码: 1068-1072 作者:  高勇;  刘静;  马丽;  余明斌 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25 SiGeC/Si异质结  功率二极管  反向恢复  漏电流   SiGeC/Si功率二极管新结构的研究与特性分析 学位论文 : 西安理工大学, 2006 作者:  刘静 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 功率二极管  合金材料  SiGeC技术  优化设计  性能评价   Theoretical study of valence-band offsets of strained Si1-x-yGexCy/Si(001) heterostructures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.371389, 1999 Zhu,ZZ; Li,SP; Zhuang,BH; Wu,LQ; Huang,MC; 李书平 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 AVERAGE-BOND-ENERGY  SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  PSEUDOMORPHIC SI1-YCY  ELECTRONIC-PROPERTIES  SI  INTERFACES  SYSTEM  SIGEC  SUPERLATTICES   Theoretical study of valence-band offsets of strained Si1-x-yGexCy/Si(001) heterostructures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.371389, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; Zhuang, B. H.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2013/12/12 AVERAGE-BOND-ENERGY  SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  PSEUDOMORPHIC SI1-YCY  ELECTRONIC-PROPERTIES  SI  INTERFACES  SYSTEM  SIGEC  SUPERLATTICES   Theoretical study of valence-band offsets of strained Si1-x-yGexCy/Si(001) heterostructures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.371389, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; Zhuang, B. H.; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 AVERAGE-BOND-ENERGY  SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  PSEUDOMORPHIC SI1-YCY  ELECTRONIC-PROPERTIES  SI  INTERFACES  SYSTEM  SIGEC  SUPERLATTICES