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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012 作者:  韩郑生;  宋文斌;  许高博;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅soi  Esd  源漏硅化物  二次击穿  导通电阻  栅接地nmos器件   高压nMOS器件的设计与研制 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 6，1489-1494 作者:  韩郑生;  杜寰;  宋李梅;  李桦 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 高压nmos器件  模拟  制造   低温半导体电子学及其进展 期刊论文 半导体技术, 1992, 期号: 06, 页码: 4-8 作者:  郭宝增[1] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体电子学  半导体器件  特殊考虑  基区  电源电压  电流增益  阈值电压  按比例缩小  热载流子  NMOS   偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响 会议论文 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会, 福建武夷山, 2006年10月22日 作者:  何玉娟 [1];  师谦 [1];  罗宏伟 [1];  章晓文 [1];  李斌 [2] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/18 NMOS器件  总剂量辐射 辐射偏置