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科研机构
微电子研究所 [2]
华南理工大学 [1]
河北大学 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2005 [1]
1992 [1]
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源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响
期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6,1007-1012
作者:
韩郑生
;
宋文斌
;
许高博
;
曾传滨
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提交时间:2010/05/27
绝缘体上硅soi
Esd
源漏硅化物
二次击穿
导通电阻
栅接地nmos器件
高压nMOS器件的设计与研制
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 6,1489-1494
作者:
韩郑生
;
杜寰
;
宋李梅
;
李桦
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/26
高压nmos器件
模拟
制造
低温半导体电子学及其进展
期刊论文
半导体技术, 1992, 期号: 06, 页码: 4-8
作者:
郭宝增[1]
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提交时间:2019/12/31
半导体电子学
半导体器件
特殊考虑
基区
电源电压
电流增益
阈值电压
按比例缩小
热载流子
NMOS
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响
会议论文
中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会, 福建武夷山, 2006年10月22日
作者:
何玉娟 [1]
;
师谦 [1]
;
罗宏伟 [1]
;
章晓文 [1]
;
李斌 [2]
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提交时间:2019/04/18
NMOS器件
总剂量辐射 辐射偏置
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