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宁波材料技术与工程研... [1]
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会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2010 [1]
学科主题
computer t... [1]
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Recent Advances of Quantum Conductance in Memristors
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 9
作者:
Xue, Wuhong
;
Gao, Shuang
;
Shang, Jie
;
Yi, Xiaohui
;
Liu, Gang
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提交时间:2019/12/18
QUANTIZED CONDUCTANCE
METALLIC NANOWIRES
RESISTIVE MEMORY
DEVICES
NANOFILAMENTS
MECHANISMS
NUCLEATION
PLASTICITY
TRANSPORT
FILAMENTS
Bistable resistance switching of Cu/Cu:HfO2/Pt for nonvolatile memory application
会议论文
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Shanghai, China, November 1, 2010 - November 4, 2010
作者:
Wang, Yan
;
Long, Shi-Bing
;
Lv, Hang-Bing
;
Liu, Qi
;
Wang, Qin
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/01/20
Switching
Doping (additives)
Hafnium
Hafnium oxides
Integrated circuits
Oxides
Platinum
Random access storage
Switching systems
Bistable resistance
Cu-doping
DC electrical
Fast operation
Metallic filaments
Non-volatile memories
Non-volatile memory application
Resistance switching
Resistive random access memory
Resistive switching
Stable state
Temperature test
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