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Self-Assembled Peptide Nanofibers with Voltage-Regulated Inverse Photoconductance
期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2021, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 1057-1064
作者:
Shi HY(石慧瑶)
;
Li ML(李明林)
;
Shi JL(施佳林)
;
Zhang DD(张鼎冬)
;
Fan Z(范震)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/02/14
peptide
nanomaterial
self-assembly
inverse photoconductance
visual memory
optoelectronic device
All-Optically Controlled Memristor for Optoelectronic Neuromorphic Computing
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020
作者:
Hu, Lingxiang
;
Yang, Jing
;
Wang, Jingrui
;
Cheng, Peihong
;
Chua, Leon O.
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浏览/下载:119/0
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提交时间:2020/12/16
AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR
RESISTIVE SWITCHING MEMORY
ELECTRONIC-STRUCTURE
SYNAPSES
DEVICE
A-INGAZNO4-X
NETWORKS
Nonvolatile MoTe p–n Diodes for Optoelectronic Logics
期刊论文
ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222
作者:
Chenguang Zhu
;
Xingxia Sun
;
Huawei Liu
;
Biyuan Zheng
;
Xingwang Wang
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/13
MoTe2
van der Waals heterostructure
p−n diode
nonvolatile memory
logic optoelectronic device
Nonvolatile MoTe2 p-n Diodes for Optoelectronic Logics
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222
作者:
Zhu, CG
;
Sun, XX
;
Liu, HW
;
Zheng, BY
;
Wang, XW
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/12/17
MoTe2
van der Waals heterostructure
p-n diode
nonvolatile memory
logic optoelectronic device
A NiOx, based threshold switching selector for RRAM crossbar array application
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Xie, Hongwei
;
Liu, Yantao
;
Huang, Zhongxiao
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
selector device
threshold switching
resistance
switching memory (RR4M)
NiO
An Oxide Schottky Junction Artificial Optoelectronic Synapse
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 2634-2642
作者:
Gao, Shuang
;
Liu, Gang
;
Yang, Huali
;
Hu, Chao
;
Chen, Qilai
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/12/18
WORK FUNCTION
MEMRISTOR
MEMORY
MECHANISMS
PLASTICITY
DEVICE
Redox gated polymer memristive processing memory unit
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10
作者:
Zhang, Bin
;
Fan, Fei
;
Xue, Wuhong
;
Liu, Gang
;
Fu, Yubin
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/12/18
NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY
TERMINATED HYPERBRANCHED POLYIMIDE
FERROCENE DERIVATIVES
RECENT PROGRESS
DEVICE
TRIPHENYLAMINE
FUTURE
STATE
Emerging Spintronic Devices: From Ultra-High-Density Memory to Logic-In-Memory
会议论文
Proceedings of 2018 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, ICTA 2018, 2018-11-21
作者:
Zhang, Yue
;
Wang, Guanda
;
Huang, Zhe
;
Zhang, Zhizhong
;
Wang, Jinkai
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/30
CMOS integrated circuits
Data storage equipment
Magnetic devices
Metals
MOS devices
Oxide semiconductors
Semiconductor junctions
Spintronics
Tunnel junctions
Complementary metal oxide semiconductors
Logic applications
Logic in memory
Magnetic tunnel junction
Non-volatile memory
Spintronic device
Systematic study
Ultrahigh density
Computer circuits
Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices
期刊论文
Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5
作者:
T.Guo
;
H.Elshekh
;
Z.Yu
;
B.Yu
;
D.Wang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/08/24
Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics
Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour
期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:
B.Sun
;
T.Guo
;
G.D.Zhou
;
S.Ranjan
;
W.T.Hou
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2020/08/24
Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry
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