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Growth and properties of Pr3+-doped NaGd(MoO4)2 single crystal: A promising InGaN laser-diode pumped orange-red laser crystal
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249
作者:
Ren, Hao
;
Li, Hongyuan
;
Zou, Yong
;
Deng, Hengyang
;
Peng, Ziming
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提交时间:2022/12/22
Czochralski method
Spectroscopic properties
InGaN laser-diodes
Orange-red lasers
Pr
NaGd(MoO4)2
An In0.42Ga0.58N tunnel junction nanowire photocathode monolithically integrated on a nonplanar Si wafer
期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: 57, 页码: 405-413
作者:
Wang, Yongjie
;
Vanka, Srinivas
;
Gim, Jiseok
;
Wu, Yuanpeng
;
Fan, Ronglei
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/11/19
III-nitride semiconductors
InGaN
Interfacial resistances
Monolithically integrated
Photogenerated electrons
Photon-to-current efficiencies
Solar water splitting
Visible and near infrared
二维InGaN半导体合金的电子结构性质第一性原理研究
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
吴正强
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/20
第一性原理
InGaN合金
电子结构
混合焓
Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Sheikhi, Moheb
;
Chen, Zhaoying
;
Hoo, Jason
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/12/18
SURFACE-MORPHOLOGY
GAN FILMS
KINETICS
QUALITY
TERNARY
INGAN
BLUE
InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:171/0
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究
学位论文
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:
江灵荣
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/28
斜切角,GaN,InGaN,表面形貌,光电特性
High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results
会议论文
2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018-01-01
作者:
Zhang Haipeng
;
Geng Lu
;
Lin Mi
;
Zhang Zhonghai
;
Lu Weifeng
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/02
InGaN/GaN/AlGaN
High voltage RTD
ESD protection
GaN/InGaN-based devices and ICs
United quantum regulation
Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 页码: 7468-7472
作者:
Zheng, Xiantong
;
Huang, Wei
;
Liang, Hongwei
;
Wang, Ping
;
Liu, Yu
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/02
InGaN
Microplates
mu-RDS
Effect of indium droplets on growth of InGaN film by molecular beam epitaxy
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 650-656
作者:
Zheng, Xiantong
;
Liang, Hongwei
;
Wang, Ping
;
Sun, Xiaoxiao
;
Chen, Zhaoying
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/02
In droplet
InGaN
MBE
Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 735, 页码: 1239-1244
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Abbas, Qasim
;
Liu, Yang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
InGaN
High indium content
Optical properties
Indium incorporation
MOCVD
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