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Growth and properties of Pr3+-doped NaGd(MoO4)2 single crystal: A promising InGaN laser-diode pumped orange-red laser crystal 期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249
作者:  Ren, Hao;  Li, Hongyuan;  Zou, Yong;  Deng, Hengyang;  Peng, Ziming
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/12/22
An In0.42Ga0.58N tunnel junction nanowire photocathode monolithically integrated on a nonplanar Si wafer 期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: 57, 页码: 405-413
作者:  Wang, Yongjie;  Vanka, Srinivas;  Gim, Jiseok;  Wu, Yuanpeng;  Fan, Ronglei
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/19
二维InGaN半导体合金的电子结构性质第一性原理研究 学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:  吴正强
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20
Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27
作者:  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Sheikhi, Moheb;  Chen, Zhaoying;  Hoo, Jason
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18
InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
收藏  |  浏览/下载：169/0  |  提交时间：2018/06/20
衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 学位论文
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:  江灵荣
收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2019/03/28
High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results 会议论文
2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018-01-01
作者:  Zhang Haipeng;  Geng Lu;  Lin Mi;  Zhang Zhonghai;  Lu Weifeng
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02
Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 页码: 7468-7472
作者:  Zheng, Xiantong;  Huang, Wei;  Liang, Hongwei;  Wang, Ping;  Liu, Yu
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/02
Effect of indium droplets on growth of InGaN film by molecular beam epitaxy 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 650-656
作者:  Zheng, Xiantong;  Liang, Hongwei;  Wang, Ping;  Sun, Xiaoxiao;  Chen, Zhaoying
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02
In droplet  InGaN  MBE  
Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 735, 页码: 1239-1244
作者:  Liu, Jianxun;  Liang, Hongwei;  Xia, Xiaochuan;  Abbas, Qasim;  Liu, Yang
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