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期刊论文 [5]
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2019 [2]
2017 [1]
2016 [1]
2013 [1]
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Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 792, 页码: 543-549
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Zhang, Guanqun
;
Liang, Guangda
;
Xin, Qian
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/11
HfAlO
High-k
Gate insulator
A-InGaZnO
Thin-film transistor
Atomic
layer deposition
Low-power device
Stress-induced charge trapping and electrical properties of atomic-layer-deposited HfAlO/Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
2019, 卷号: 52
作者:
Zhang, Hongpeng
;
Yuan, Lei
;
Jia, Renxu
;
Tang, Xiaoyan
;
Hu, Jichao
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/20
gallium oxide
HfAlO/Ga2O3 MOSCAP
constant-voltage stress
oxide traps
Band Offsets and Interfacial Properties of HfAlO Gate Dielectric Grown on InP by Atomic Layer Deposition
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 卷号: 12, 页码: -
作者:
Yang, LF
;
Wang, T
;
Zou, Y
;
Lu, HL
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2017/12/08
Band Alignments
Hfalo Dielectric
Inp
Atomic Layer Deposition
Interfacial and electrical properties of HfAlO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors with sulfur passivation
期刊论文
2016, 2016
谭桢
;
赵连锋
;
王敬
;
许军
;
Tan Zhen
;
Zhao Lian-Feng
;
Wang Jing
;
Xu Jun
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究
期刊论文
河南大学学报(自然科学版), 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 249-252
作者:
汤振杰[1]
;
张婷[2]
;
殷江[3]
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/23
高介电常数
HfAlO氧化物
电荷存储
原子层沉积
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