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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 792, 页码: 543-549 作者:  Ma, Pengfei;  Sun, Jiamin;  Zhang, Guanqun;  Liang, Guangda;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/11 HfAlO  High-k  Gate insulator  A-InGaZnO  Thin-film transistor  Atomic  layer deposition  Low-power device   Stress-induced charge trapping and electrical properties of atomic-layer-deposited HfAlO/Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文 2019, 卷号: 52 作者:  Zhang, Hongpeng;  Yuan, Lei;  Jia, Renxu;  Tang, Xiaoyan;  Hu, Jichao 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20 gallium oxide  HfAlO/Ga2O3 MOSCAP  constant-voltage stress  oxide traps   Band Offsets and Interfacial Properties of HfAlO Gate Dielectric Grown on InP by Atomic Layer Deposition 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 卷号: 12, 页码: - 作者:  Yang, LF;  Wang, T;  Zou, Y;  Lu, HL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/12/08 Band Alignments  Hfalo Dielectric  Inp  Atomic Layer Deposition   Interfacial and electrical properties of HfAlO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors with sulfur passivation 期刊论文 2016, 2016 谭桢; 赵连锋; 王敬; 许军; Tan Zhen; Zhao Lian-Feng; Wang Jing; Xu Jun 收藏  |  浏览/下载：8/0 高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究 期刊论文 河南大学学报（自然科学版）, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 249-252 作者:  汤振杰[1];  张婷[2];  殷江[3] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/23 高介电常数  HfAlO氧化物  电荷存储  原子层沉积