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科研机构
厦门大学 [4]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
1999 [4]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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Ab initio study of electronic structure of strained Si1-x-yGexCy/Ge(001)
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s100510051030, 1999
Wu, L. Q.
;
Huang, M. C.
;
Li, S. P.
;
Zhu, Z. Z.
;
朱梓忠
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提交时间:2013/12/12
VALENCE-BAND OFFSETS
HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES
ALLOYS
HETEROSTRUCTURES
POTENTIALS
SI(001)
SYSTEM
GAP
Conduction-band-edge variations of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloys on (110) Si and Ge substrates
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00242-2, 1999
Zhu,ZZ
;
Li,SP
;
Zhuang,BH
;
Wu,LQ
;
Huang,MC
;
李书平
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提交时间:2013/12/12
HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES
OPTICAL-PROPERTIES
LAYERS
GAP
PHOTOLUMINESCENCE
SI1-YCY
SI(001)
GROWTH
WELLS
Conduction-band-edge variations of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloys on (110) Si and Ge substrates
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00242-2, 1999
Wu, L. Q.
;
Huang, M. C.
;
Li, S. P.
;
Zhu, Z. Z.
;
Zhuang, B. H.
;
黄美纯
收藏
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提交时间:2013/12/12
HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES
OPTICAL-PROPERTIES
LAYERS
GAP
PHOTOLUMINESCENCE
SI1-YCY
SI(001)
GROWTH
WELLS
Conduction-band-edge variations of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloys on (110) Si and Ge substrates
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00242-2, 1999
Wu, L. Q.
;
Huang, M. C.
;
Li, S. P.
;
Zhu, Z. Z.
;
Zhuang, B. H.
;
朱梓忠
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提交时间:2013/12/12
HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES
OPTICAL-PROPERTIES
LAYERS
GAP
PHOTOLUMINESCENCE
SI1-YCY
SI(001)
GROWTH
WELLS
Conduction-band offset in a pseudomorphic GaAs/In0.2Ga0.8As quantum well determined by capacitance-voltage profiling and deep-level transient spectroscopy techniques
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 2093-2097
Lu LW
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
;
Yang GW
;
Wang ZG
收藏
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提交时间:2010/08/12
DISCONTINUITIES
HETEROJUNCTION
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