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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Ab initio study of electronic structure of strained Si1-x-yGexCy/Ge(001) 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1007/s100510051030, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/12/12 VALENCE-BAND OFFSETS  HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES  ALLOYS  HETEROSTRUCTURES  POTENTIALS  SI(001)  SYSTEM  GAP   Conduction-band-edge variations of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloys on (110) Si and Ge substrates 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00242-2, 1999 Zhu,ZZ; Li,SP; Zhuang,BH; Wu,LQ; Huang,MC; 李书平 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES  OPTICAL-PROPERTIES  LAYERS  GAP  PHOTOLUMINESCENCE  SI1-YCY  SI(001)  GROWTH  WELLS   Conduction-band-edge variations of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloys on (110) Si and Ge substrates 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00242-2, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; Zhuang, B. H.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES  OPTICAL-PROPERTIES  LAYERS  GAP  PHOTOLUMINESCENCE  SI1-YCY  SI(001)  GROWTH  WELLS   Conduction-band-edge variations of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloys on (110) Si and Ge substrates 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00242-2, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; Zhuang, B. H.; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 HETEROJUNCTION DISCONTINUITIES  OPTICAL-PROPERTIES  LAYERS  GAP  PHOTOLUMINESCENCE  SI1-YCY  SI(001)  GROWTH  WELLS   Conduction-band offset in a pseudomorphic GaAs/In0.2Ga0.8As quantum well determined by capacitance-voltage profiling and deep-level transient spectroscopy techniques 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 2093-2097 Lu LW; Wang J; Wang Y; Ge WK; Yang GW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 DISCONTINUITIES  HETEROJUNCTION