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科研机构
半导体研究所 [3]
清华大学 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [3]
2010 [1]
学科主题
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
作者:
Wang, Wei
;
Su, Shaojian
;
Zheng, Jun
;
Zhang, Guangze
;
Xue, Chunlai
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浏览/下载:128/0
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提交时间:2019/05/12
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 43004
He, Jifang
;
Shang, Xiangjun
;
Li, Mifeng
;
Zhu, Yan
;
Chang, Xiuying
;
Ni, Haiqiao
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
收藏
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浏览/下载:76/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Atomic force microscopy
Buffer layers
Epitaxial growth
Gallium alloys
Gallium arsenide
Germanium
Growth temperature
High resolution transmission electron microscopy
Molecular beam epitaxy
Molecular beams
Semiconducting gallium
Semiconductor device structures
Semiconductor quantum wells
Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:103/7
  |  
提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Growth of Ge layer on relaxed Ge-rich SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
2010, 2010
Liu Jialei
;
Liang Renrong
;
Wang Jing
;
Xu Yang
;
Xu Jun
;
Liu Zhihong
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