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Temperature-dependent electrical transport mechanism in amorphous Ge2Sb2Te5 films
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: Vol.253 No.9, 页码: 1855-1860
作者:
Wang, W
;
Lu, WJ
;
Wu, HY
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提交时间:2019/04/24
amorphous GeSbTe
electrical transport
phase change memories
variable range hopping
激光热刻蚀材料的制备及其直写光刻性质研究
学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2013
作者:
邓常猛
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2016/11/28
激光热刻蚀
杯[4]芳烃衍生物
GeSbTe
激光直写光刻
Investigation of adhesive and frictional behavior of GeSbTe films with AFM/FFM
期刊论文
2010, 2010
Xie, Guoxin
;
Ding, Jianning
;
Zheng, Beirong
;
Xue, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
Investigation on Ge5-x Sb (x) Te-5 phase-change materials by first-principles method
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s00339-010-5709-x, 2010
Miao, Naihua
;
Sa, Baisheng
;
Zhou, Jian
;
Xu, Lihua
;
Sun, Zhimei
;
Ahuja, Rajeev
;
周健
;
孙志梅
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/07/22
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
DATA-STORAGE
TRANSITION
ALLOYS
GESBTE
SYSTEM
FILMS
Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2007, 卷号: 516, 期号: 1, 页码: 42-46
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, GM
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE FILM
MEMORY
RESISTANCE
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