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内容类型
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会议论文 [2]
发表日期
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1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214
作者:
Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2]
;
Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2022/04/07
Total ionizing dose irradiation
UTBB FD-SOI
1
f noise
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ]
;
Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ]
;
Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2019/05/14
Back-gate biasing
forward body bias (FBB)
total ionizing dose (TID)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)
Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI
会议论文
GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI, 2019-01-01
作者:
Cai, Hao
;
Han, Menglin
;
Shan, Weiwei
;
Yang, Jun
;
Wang, You
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/30
VCMA-MTJ
design boundary
voltage assisted techniques
ultra-low power
FD-SOI
Exploring Hybrid STT-MTJ/CMOS Energy Solution in Near-/Sub-Threshold Regime for IoT Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 卷号: 54
作者:
Cai, Hao
;
Wang, You
;
Naviner, Lirida Alves de Barros
;
Yang, Jun
;
Zhao, Weisheng
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/30
Flip-flop (FF)
forward back bias (FBB)
fully depleted silicon on insulator (FD-SOI)
magnetic tunnel junction (MTJ)/CMOS integration
near-/sub-threshold
ultralow power
Robust Ultra-Low Power Non-Volatile Logic-in-Memory Circuits in FD-SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2017, 卷号: 64, 页码: 847-857
作者:
Cai, Hao
;
Wang, You
;
De Barros, Lirida Alves
;
Zhao, Weisheng
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/30
Non-volatile logic-in-memory (NV-LIM)
MTJ
ultra-low power
approximate computing
FD-SOI
A Non-Charge-Sheet Analytic Model for Symmetric Double-Gate MOSFETs With Smooth Transition Between Partially and Fully Depleted Operation Modes
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2008
Liu, Feng
;
He, Jin
;
Zhang, Jian
;
Chen, Yu
;
Chan, Mansun
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
Compact model
double-gate (DG) MOSFET
fully depleted (FD)
non-charge-sheet current
partially depleted (PD)
SOI MOSFETS
COMPACT MODEL
POTENTIAL MODEL
DRAIN CURRENT
TRANSISTORS
DESIGN
INVERSION
VOLTAGE
DEVICE
Threshold voltage model of short-channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2008, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 803-809
作者:
Zhang, Guohe
;
Shao, Zhibiao
;
Zhou, Kai
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/18
MOSFETs
fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI)
Gaussian
threshold voltage model
Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究
期刊论文
功能材料与器件学报, 2004, 期号: 04
杜茂华
;
蒋玉齐
;
罗乐
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/01/06
射频集成电路
高阻SOI
FD-SOI CMOS
SIMOX
Operation of suspended lateral SOI PIN photodiode with aluminum back gate
会议论文
2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 155-158, 2016
作者:
Li, GL
;
Andre, N
;
Poncelet, O
;
Gerard, P
;
Ali, SZ
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/31
silicon-on-insulator (SOI)
lateral PIN photodiode
fully-depleted (FD) condition
back gate
aluminum reflector
numerical simulation
Atlas
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