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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ultra-thin Si-fin body widths upon SOI PMOS FinFETs 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 32, 期号: 15 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Chen, Chii-Wen;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Zou, Xuecheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05 SOI FinFET  threshold voltage (V-t)  drive current  short channel effect (SCE)  swing  transconductance (G(m))  drain-induced barrier lowering (DIBL)  source/drain resistance (R-SD)   Corner effects in double-gate/gate-all-around MOSFETs 期刊论文 中国物理英文版, 2007 Hou Xiao-Yu; Zhou Fa-Long; Huang Ru; Zhang Xing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 GAA  DG  DIBL  S-top  D-top  corner effect  GATE   Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs 期刊论文 固体电子学, 2005 An, X; Huang, R; Zhang, X; Wang, YY 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 ultra-thin body  raised source/drain (RSD)  lowered source/drain (LSD)  short-channel effect (SCE)  drain-induced-barrier-lowering (DIBL) effect  intrinsic delay  parasitic capacitance  scaling  PMOSFETS   Modeling of subthreshold characteristics of deep-submicrometer FD devices 期刊论文 Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 908-914 作者:  Cheng, Bin-Jie;  Shao, Zhi-Biao;  Tang, Tian-Tong;  Shen, Wen-Zhen;  Zhao, Wen-Kui 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/07 DIBL effect  FD device  Model of subthreshold region  Surface potential