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内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2017 [3]
2012 [1]
学科主题
Chemistry [1]
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All-Optically Controlled Memristor for Optoelectronic Neuromorphic Computing
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020
作者:
Hu, Lingxiang
;
Yang, Jing
;
Wang, Jingrui
;
Cheng, Peihong
;
Chua, Leon O.
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浏览/下载:120/0
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提交时间:2020/12/16
AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR
RESISTIVE SWITCHING MEMORY
ELECTRONIC-STRUCTURE
SYNAPSES
DEVICE
A-INGAZNO4-X
NETWORKS
Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 792, 页码: 543-549
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Zhang, Guanqun
;
Liang, Guangda
;
Xin, Qian
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/11
HfAlO
High-k
Gate insulator
A-InGaZnO
Thin-film transistor
Atomic
layer deposition
Low-power device
Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 1377-1382
作者:
Wang, Yiming
;
Yang, Jin
;
Wang, Hanbin
;
Zhang, Jiawei
;
Li, He
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Amorphous indium-gallium-zinc oxide ( a-InGaZnO)
current gain
high
frequency
thin-film transistor (TFT)
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, Da
;
Abliz, Ablat
;
Su, Meng
;
Liu, Chuangsheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
1/f noise model
thin-film transistors (TFTs)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
low-frequency noise (LFN)
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 11
作者:
Wan, Da
;
Abliz, Ablat
;
Su, Meng
;
Liu, Chuangsheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: Vol.38 No.11, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, D
;
Abliz, A
;
Su, M
;
Liu, CS
;
Jiang, CZ
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/31
Indium tin oxide
Thin film transistors
Iron
1/f noise
Electron traps
Logic gates
Fluctuations
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
Analysis of Wet Etching Characteristics of a-IGZO Thin Film
会议论文
NEW MATERIALS AND PROCESSES, PTS 1-3, 2012-03-27
作者:
Chen, Longlong[1]
;
Li, Xifeng[2]
;
Shi, Jifeng[3]
;
Zhang, Hao[4]
;
Li, Chunya[5]
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/30
amorphous InGaZnO (a-IGZO)
wet etching
etching rate
over etching
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